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IRF7402
1200
1000
V GS
C iss
C rs s
C o ss
=
=
=
=
0V , f = 1 M H z
C g s + C g d , C d s S H O R TE D
C gd
C ds + C g d
10
8
I D = 3 .8A
V D S = 16 V
C iss
800
C oss
6
600
4
400
C rss
2
200
FO R TE S T CIR C U IT
0
1
10
100
A
0
0
4
8
12
S E E FIG U R E 9
16 20
24
A
100
10
1
V D S , D rain-to-S ourc e V oltage (V )
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
T J = 15 0°C
T J = 2 5°C
1000
100
10
Q G , Total G ate C harge (nC )
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100us
1ms
T C = 25 ° C
T J = 150 ° C
10ms
V G S = 0V
0.1
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0 2.4
A
1
1
Single Pulse
10
100
4
V S D , S ourc e-to-D rain V oltage (V )
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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